COWWS2系列 存储器高(低)温老化测试系统

符合标准:
     GJB548(等同MIL-STD-883)、GJB597(等同MIL-M-38510)。

适用范围:
     适用于各种FLASH,SDRAM,SRAM,EERAM等存储器进行高(低)温动态老化筛选,并在老化的同时进行存储单元的功能测试。
技术指标:

型号COWWS-21000COWWS-22000ELEA-RAM
系统分区16区(标准)48区(标准)16区(标准)
试验容量64位/区*16区=1024位64位/区*48区=3027位64位/区*16区=1024位
试验温度-50℃~+150℃最高150℃最高150℃
数字信号
(数据、地址)
DI/O数据线:64;地址线:24
数字信号(控制)CLK时钟线:8;SCAN扫描线:16
老化电源分区16区48区16区
信号指标信号最高频率:10MHz;IOL=IOH≥30mA;Tr/Tf(5Vp-p):≤25ns;
器件字宽*1,*4,*8,*9,*16,*18,*32,*64
试验电源0V ~5.5V;程控方式,具有各种异常保护功能;
图形发生模式具有动态地址、地址寻址能力;定时器、向量发生器、CS发生器
系统自诊断能力系统具有软件、硬件自诊断系统;
系统测试能力 数据位&器件的功能测试;老化器件的分时测试;每个器件为实时状态
算法图形扫描法(含全0全1、棋盘格、奇偶图形)、地址后退法、地址互补法、走步、跳步、移动对角线、N型算法等;
供电要求380V ,50Hz,三相;
整机功率:10kW以下
380V ,50Hz,三相;
整机功率:10kW以下
380V ,50Hz,三相(单相可选);
整机功率:5kW以下


COWWS系列 DSP集成电路高(低)温老化测试系统

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COWWS1系列 集成电路高(低)温动态老化系统
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