PWD-V大功率 晶体管老化系统

符合标准:
     GJB128(等同MIL-STD-750)、GJB548(等同MIL-STD-883)
适用范围:
    对F型、TO-220、TO-3P、G型等封装的大功率三极管、MOS管等晶体管进行功率试验。
技术指标:

型号PWD-VPWD-V01
系统分区4区8区
试验容量50W/64工位;
150W/32工位;
300W/16工位;
50W/48工位;
150W/24工位
老化电源配置配置4套老化电源;
VB:25V/40A;VC:60V/80A
配置8套老化电源;
VB:25V/40A;VC:60V/25A
检测误差≤±1%±1LSB
温度控制≤75±5℃;均匀度≤±5℃≤75±5℃
制冷方式水冷散热控温方式;风冷散热控温方式
制冷系统制冷功率4kW
保护方式具有冷却水水压欠压保护、超压报警,水温超温保护超温保护,电流、电压超限保护、
电源要求380V, 50Hz,三相;主机功率:7kW以下;制冷系统功率:3kW以下380V, 50Hz,三相;主机功率:5kW以下


DZ-350大功率 微波晶体管老化系统

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